Fájl:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png
Ugrás a navigációhoz
Ugrás a kereséshez
Nem érhető el nagyobb felbontású változat.
Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png (768 × 576 képpont, fájlméret: 650 KB, MIME-típus: image/png)
Összefoglaló
| Leírás |
Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111
|
| Dátum | 2005. szeptember 13. (eredeti feltöltésének dátuma) |
| Forrás | Nincs megadva géppel olvasható forrás. Feltételezhetően saját munka (a szerzői jogi adatok alapján). |
| Szerző | Nincs megadva géppel olvasható szerző. Feltételezhetően Twisp (a szerzői jogi adatok alapján). |
Licenc
|
Én, a szerző, ezt a művemet ezennel közkinccsé nyilvánítom. Ez a világ minden részén érvényes. Egyes országokban ez jogilag nem lehetséges. Ha így van, akkor: Jogot adok bárkinek, hogy bármilyen célból, feltétel nélkül használhassa ezt a fájlt, kivéve a törvény által kötelezően előírt feltételeket. |
Fájltörténet
Kattints egy időpontra, hogy a fájl akkori állapotát láthasd.
| Dátum/idő | Bélyegkép | Felbontás | Feltöltő | Megjegyzés | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuális | 2005. szeptember 13., 01:15 | | 768 × 576 (650 KB) | wikimediacommons>Twisp | * Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho |
Fájlhasználat
Az alábbi lap használja ezt a fájlt:
